Gallium Nitride Substrate|GaN Wafers

Die derde generasie halfgeleiermateriale sluit hoofsaaklik SiC, GaN, diamant, ens. in, want die bandgapingwydte (Eg) is groter as of gelyk aan 2.3 elektronvolt (eV), ook bekend as wyebandgaping halfgeleiermateriale.In vergelyking met die eerste en tweede generasie halfgeleier materiale, het die derde generasie halfgeleier materiale die voordele van hoë termiese geleidingsvermoë, hoë afbreek elektriese veld, hoë versadigde elektronmigrasietempo en hoë bindingsenergie, wat kan voldoen aan die nuwe vereistes van moderne elektroniese tegnologie vir hoë temperatuur, hoë krag, hoë druk, hoë frekwensie en bestraling weerstand en ander strawwe toestande.Dit het belangrike toepassingsvooruitsigte op die gebied van nasionale verdediging, lugvaart, lugvaart, olie-eksplorasie, optiese berging, ens., en kan energieverlies met meer as 50% verminder in baie strategiese industrieë soos breëbandkommunikasie, sonenergie, motorvervaardiging, halfgeleierbeligting, en slim rooster, en kan toerustingvolume met meer as 75% verminder, wat van mylpaalbetekenis is vir die ontwikkeling van menslike wetenskap en tegnologie.