GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Galllium Arsenide Substrate

Kort beskrywing:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. is 'n toonaangewende verskaffer wat spesialiseer in wafers en gevorderde halfgeleier-verbruiksgoedere.Ons is toegewyd aan die verskaffing van hoë gehalte, betroubare en innoverende produkte aan halfgeleiervervaardiging, fotovoltaïese industrie en ander verwante velde.

Ons produkreeks bevat SiC/TaC-bedekte grafietprodukte en keramiekprodukte, wat verskeie materiale insluit soos silikonkarbied, silikonnitried en aluminiumoksied en ens.

Op die oomblik is ons die enigste vervaardiger wat 'n suiwerheid van 99,9999% SiC-bedekking en 99,9% herkristalliseerde silikonkarbied verskaf.Die maksimum SiC-laaglengte wat ons kan doen 2640mm.

Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

GaAs-substrate word verdeel in geleidende en semi-isolerende, wat wyd gebruik word in laser (LD), halfgeleier-liguitstralende diode (LED), naby-infrarooi laser, kwantumput hoë-krag laser en hoë-doeltreffendheid sonpanele.HEMT- en HBT-skyfies vir radar-, mikrogolf-, millimetergolf- of ultrahoëspoedrekenaars en optiese kommunikasie;Radiofrekwensietoestelle vir draadlose kommunikasie, 4G, 5G, satellietkommunikasie, WLAN.

Onlangs het galliumarseniedsubstrate ook groot vordering gemaak in mini-LED, Mikro-LED en rooi LED, en word wyd gebruik in AR/VR-drabare toestelle.

Deursnee 晶片直径	50 mm \|75 mm \|100 mm \|150 mm
Groei metode 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Wafeldikte 厚度	350 um ~ 625 um
Oriëntering 晶向	<100> / <111> / <110> of ander
Geleidende tipe 导电类型	P – tipe / N – tipe / Semi-isolerend
Tik/doteer 掺杂剂	Zn / Si / ongedoteer
Draerkonsentrasie 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Weerstand by RT 室温电阻率(ohm•cm)	≥1E7 vir SI
Mobiliteit 迁移率(cm2/V•Sek.)	≥4000
EPD (Etsputdigtheid) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Boog / Skerring 翘曲度	≤ 20 um
Oppervlak afwerking 表面	ADV/SSP
Laser merk 激光码
Graad 等级	Epi gepoleerde graad / meganiese graad