CVD SiC Coating

Inleiding tot silikonkarbiedbedekking 

Ons Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) deklaag is 'n hoogs duursame en slytiewe laag, ideaal vir omgewings wat hoë korrosie- en termiese weerstand vereis.Silikonkarbiedbedekkingword in dun lae op verskeie substrate toegedien deur die CVD-proses, wat uitstekende werkverrigting-eienskappe bied.


Sleutel kenmerke

       ● -Uitsonderlike suiwerheid: Spog met 'n ultra-suiwer samestelling van99,99995%, onsSiC-bedekkingverminder kontaminasierisiko's in sensitiewe halfgeleierbedrywighede.

● -Superior Weerstand: Toon uitstekende weerstand teen beide slytasie en korrosie, wat dit perfek maak vir uitdagende chemiese en plasma-instellings.
● -Hoë termiese geleidingsvermoë: Verseker betroubare werkverrigting onder uiterste temperature as gevolg van sy uitstaande termiese eienskappe.
● -Dimensionele stabiliteit: Handhaaf strukturele integriteit oor 'n wye reeks temperature, danksy sy lae termiese uitsettingskoëffisiënt.
● -Verbeterde hardheid: Met 'n hardheid gradering van40 GPa, ons SiC-bedekking weerstaan ​​aansienlike impak en skuur.
● Gladde oppervlakafwerking: Verskaf 'n spieëlagtige afwerking, wat deeltjiegenerering verminder en bedryfsdoeltreffendheid verbeter.


Aansoeke

Semicera SiC-bedekkingsword in verskeie stadiums van halfgeleiervervaardiging gebruik, insluitend:

● -LED-chip vervaardiging
● -Polisilikon produksie
● -Halfgeleier kristalgroei
● -Silikon en SiC Epitaksie
● -Termiese oksidasie en diffusie (TO&D)

 

Ons verskaf SiC-bedekte komponente gemaak van hoësterkte isostatiese grafiet, koolstofveselversterkte koolstof en 4N herkristalliseerde silikonkarbied, aangepas vir werwelbedreaktore,STC-TCS-omsetters, CZ-eenheidreflektors, SiC-waferboot, SiCwafer-roeispan, SiC-waferbuis en wafeldraers wat gebruik word in PECVD, silikon-epitaksie, MOCVD-prosesse.


Voordele

● -Verlengde lewensduur: Verminder toerusting stilstandtyd en onderhoudskoste aansienlik, wat algehele produksiedoeltreffendheid verbeter.
● -Verbeterde kwaliteit: Bereik hoë-suiwer oppervlaktes wat nodig is vir halfgeleierverwerking, en verhoog dus produkkwaliteit.
● -Verhoogde doeltreffendheid: Optimaliseer termiese en CVD-prosesse, wat korter siklustye en hoër opbrengste tot gevolg het.


Tegniese spesifikasies
     

● -Struktuur: FCC β-fase polikristallien, hoofsaaklik (111)georiënteerd
● -Digtheid: 3,21 g/cm³
● -Hardheid: 2500 Vickes hardheid (500g vrag)
● - Breukhardheid: 3,0 MPa·m1/2
● -Termiese uitbreidingskoëffisiënt (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastiese modulus(1300 ℃):435 GPa
● -Tipiese filmdikte:100 µm
● - Oppervlakgrofheid:2-10 µm


Suiwerheidsdata (gemeet deur gloeiontladingsmassaspektroskopie)

Element

dpm

Element

dpm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Al

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Deur die nuutste CVD-tegnologie te gebruik, bied ons pasgemaakteSiC coating oplossingsom aan die dinamiese behoeftes van ons kliënte te voldoen en vooruitgang in halfgeleiervervaardiging te ondersteun.

 

123456Volgende >>> Bladsy 1 / 8