SiC-bedekte proses vir grafietbasis SiC-bedekte grafietdraers

Ons handhaaf baie noue toleransies wanneer die toepassing van dieSiC-bedekking, met hoë-presisie bewerking om 'n eenvormige susceptorprofiel te verseker.Ons vervaardig ook materiale met ideale elektriese weerstandseienskappe vir gebruik in induktief verhitte stelsels.Alle voltooide komponente kom met 'n suiwerheid en dimensionele voldoeningsertifikaat.

Ons maatskappy verskafSiC-bedekkingverwerk dienste deur CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiaal neergelê word, wat SIC-beskermende laag vorm.Die SIC wat gevorm word, is stewig aan die grafietbasis gebind, wat die grafietbasis spesiale eienskappe gee, wat die oppervlak van die grafiet dus kompak maak, poreusheidvry, hoë temperatuurweerstand, korrosiebestandheid en oksidasieweerstand.

CVD proses lewer uiters hoë suiwerheid en teoretiese digtheid vanSiC-bedekkingmet geen porositeit nie.Wat meer is, aangesien silikonkarbied baie hard is, kan dit tot 'n spieëlagtige oppervlak gepoleer word.CVD silikonkarbied (SiC) deklaaghet verskeie voordele gelewer, insluitend ultrahoë suiwer oppervlak en uiters slytasieduursaamheid.Aangesien die bedekte produkte uitstekende werkverrigting in hoë vakuum en hoë temperatuur omstandighede het, is hulle ideaal vir toepassings in halfgeleier industrie en ander ultra-skoon omgewings.Ons verskaf ook pirolitiese grafiet (PG) produkte.