As een van die kernkomponente vanMOCVD toerusting, grafietbasis is die draer en verwarmingsliggaam van die substraat, wat die eenvormigheid en suiwerheid van die filmmateriaal direk bepaal, dus die kwaliteit daarvan beïnvloed die voorbereiding van die epitaksiale vel direk, en terselfdertyd, met die toename in die aantal gebruike en die verandering van werksomstandighede, dit is baie maklik om te dra, wat tot die verbruiksgoedere behoort.
Alhoewel grafiet uitstekende termiese geleidingsvermoë en stabiliteit het, het dit 'n goeie voordeel as 'n basiskomponent vanMOCVD toerusting, maar in die produksieproses sal grafiet die poeier korrodeer as gevolg van die oorblyfsel van korrosiewe gasse en metaalorganiese stowwe, en die dienslewe van die grafietbasis sal aansienlik verminder word.Terselfdertyd sal die vallende grafietpoeier besoedeling aan die skyfie veroorsaak.
Die opkoms van bedekkingstegnologie kan oppervlakpoeierfiksasie verskaf, termiese geleidingsvermoë verbeter en hitteverspreiding gelyk maak, wat die hooftegnologie geword het om hierdie probleem op te los.Grafietbasis inMOCVD toerustinggebruik omgewing, grafiet basis oppervlak coating moet voldoen aan die volgende eienskappe:
(1) Die grafietbasis kan volledig toegedraai word, en die digtheid is goed, anders is die grafietbasis maklik om in die korrosiewe gas te roes.
(2) Die kombinasiesterkte met die grafietbasis is hoog om te verseker dat die deklaag nie maklik is om af te val na verskeie hoë- en laetemperatuursiklusse nie.
(3) Dit het goeie chemiese stabiliteit om bedekkingsmislukking in hoë temperatuur en korrosiewe atmosfeer te voorkom.
SiC het die voordele van korrosiebestandheid, hoë termiese geleidingsvermoë, termiese skokweerstand en hoë chemiese stabiliteit, en kan goed werk in GaN epitaksiale atmosfeer.Daarbenewens verskil die termiese uitsettingskoëffisiënt van SiC baie min van dié van grafiet, so SiC is die voorkeurmateriaal vir die oppervlakbedekking van grafietbasis.
Tans is die algemene SiC hoofsaaklik 3C-, 4H- en 6H-tipe, en die SiC-gebruike van verskillende kristaltipes verskil.Byvoorbeeld, 4H-SiC kan hoëkragtoestelle vervaardig;6H-SiC is die mees stabiele en kan foto-elektriese toestelle vervaardig;As gevolg van sy soortgelyke struktuur as GaN, kan 3C-SiC gebruik word om GaN epitaksiale laag te vervaardig en SiC-GaN RF toestelle te vervaardig.3C-SiC is ook algemeen bekend asβ-SiC, en 'n belangrike gebruik vanβ-SiC is as 'n film en coating materiaal, dusβ-SiC is tans die hoofmateriaal vir coating.
Postyd: Nov-06-2023