Op die oomblik is die voorbereiding metodes vanSiC-bedekkingsluit hoofsaaklik gel-sol metode, inbedding metode, kwas coating metode, plasma spuit metode, chemiese gas reaksie metode (CVR) en chemiese dampneerlegging metode (CVD) in.
Inbedding metode:
Die metode is 'n soort hoë-temperatuur vastefase sintering, wat hoofsaaklik die mengsel van Si-poeier en C-poeier as die inbeddingspoeier gebruik, die grafietmatriks word in die inbeddingspoeier geplaas, en die hoëtemperatuursintering word in die inerte gas uitgevoer. , en uiteindelik dieSiC-bedekkingword op die oppervlak van die grafietmatriks verkry.Die proses is eenvoudig en die kombinasie tussen die deklaag en die substraat is goed, maar die eenvormigheid van die deklaag langs die dikterigting is swak, wat maklik is om meer gate te produseer en lei tot swak oksidasieweerstand.
Borsel coating metode:
Die kwasbedekkingsmetode is hoofsaaklik om die vloeibare grondstof op die oppervlak van die grafietmatriks te borsel, en dan die grondstof teen 'n sekere temperatuur te genees om die deklaag voor te berei.Die proses is eenvoudig en die koste is laag, maar die deklaag wat met die kwasbedekkingsmetode voorberei is, is swak in kombinasie met die substraat, die eenvormigheid van die deklaag is swak, die deklaag is dun en die oksidasieweerstand is laag, en ander metodes is nodig om te help Dit.
Plasma spuitmetode:
Die plasmabespuitingsmetode is hoofsaaklik om gesmelte of halfgesmelte grondstowwe op die oppervlak van die grafietmatriks met 'n plasmapistool te spuit, en dan stol en bind om 'n deklaag te vorm.Die metode is eenvoudig om te gebruik en kan 'n relatief digte silikonkarbiedbedekking voorberei, maar die silikonkarbiedbedekking wat deur die metode voorberei is, is dikwels te swak en lei tot swak oksidasieweerstand, dus word dit gewoonlik gebruik vir die voorbereiding van SiC saamgestelde bedekking om te verbeter die kwaliteit van die laag.
Gel-sol metode:
Die gel-sol-metode is hoofsaaklik om 'n eenvormige en deursigtige sol-oplossing voor te berei wat die oppervlak van die matriks bedek, in 'n gel droog word en dan sinter om 'n deklaag te verkry.Hierdie metode is eenvoudig om te bedryf en laag in koste, maar die deklaag wat vervaardig word, het 'n paar tekortkominge soos lae termiese skokweerstand en maklike krake, dus kan dit nie wyd gebruik word nie.
Chemiese gasreaksie (CVR):
CVR genereer hoofsaaklikSiC-bedekkingdeur Si- en SiO2-poeier te gebruik om SiO-stoom by hoë temperatuur te genereer, en 'n reeks chemiese reaksies vind op die oppervlak van C-materiaalsubstraat plaas.DieSiC-bedekkingberei deur hierdie metode is nou gebind aan die substraat, maar die reaksie temperatuur is hoër en die koste is hoër.
Chemiese dampneerslag (CVD):
Tans is CVD die belangrikste tegnologie vir voorbereidingSiC-bedekkingop die substraatoppervlak.Die hoofproses is 'n reeks fisiese en chemiese reaksies van gasfase-reaktantmateriaal op die substraatoppervlak, en uiteindelik word die SiC-bedekking voorberei deur afsetting op die substraatoppervlak.Die SiC-bedekking wat deur CVD-tegnologie voorberei is, is nou gebind aan die oppervlak van die substraat, wat die oksidasieweerstand en ablatiewe weerstand van die substraatmateriaal effektief kan verbeter, maar die afsettingstyd van hierdie metode is langer, en die reaksiegas het 'n sekere toksiese gas.
Postyd: Nov-06-2023