Kenmerke:
Die weerstand van keramiek met halfgeleier-eienskappe is ongeveer 10-5~ 107ω.cm, en die halfgeleier-eienskappe van keramiekmateriale kan verkry word deur doping of deur roosterdefekte te veroorsaak wat deur stoïgiometriese afwyking veroorsaak word.Keramiek wat hierdie metode gebruik, sluit in TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 en SiC.Die verskillende kenmerke van halfgeleierkeramiek is dat hul elektriese geleidingsvermoë met die omgewing verander, wat gebruik kan word om verskillende soorte keramieksensitiewe toestelle te maak.
Soos hitte sensitief, gas sensitief, humiditeit sensitief, druk sensitief, lig sensitiewe en ander sensors.Halfgeleier spinel materiale, soos Fe3O4, word gemeng met nie-geleier spinel materiale, soos MgAl2O4, in beheerde vaste oplossings.
MgCr2O4, en Zr2TiO4, kan as termistors gebruik word, wat noukeurig beheerde weerstandstoestelle is wat met temperatuur verskil.ZnO kan gemodifiseer word deur oksiede soos Bi, Mn, Co en Cr by te voeg.
Die meeste van hierdie oksiede is nie solied in ZnO opgelos nie, maar defleksie op die korrelgrens om 'n versperringslaag te vorm, om sodoende ZnO varistor keramiek materiaal te verkry, en is 'n soort materiaal met die beste prestasie in varistor keramiek.
SiC-dotering (soos menslike koolstofswart, grafietpoeier) kan halfgeleiermateriale met hoë temperatuurstabiliteit voorberei, wat as verskeie weerstandsverhittingselemente gebruik word, dit wil sê silikonkoolstofstawe in hoëtemperatuur elektriese oonde.Beheer die weerstand en deursnit van SiC om byna enigiets te bereik wat verlang word
Bedryfstoestande (tot 1500 ° C), die verhoging van sy weerstand en die vermindering van die dwarssnit van die verwarmingselement sal die hitte wat gegenereer word, verhoog.Silikon koolstof staaf in die lug sal plaasvind oksidasie reaksie, die gebruik van temperatuur is oor die algemeen beperk tot 1600 ° C onder, die gewone tipe silikon koolstof staaf
Die veilige bedryfstemperatuur is 1350°C.In SiC word 'n Si-atoom deur 'n N-atoom vervang, want N het meer elektrone, daar is oortollige elektrone, en sy energievlak is naby aan die onderste geleidingsband en dit is maklik om na die geleidingsband te verhoog, dus hierdie energietoestand word ook die skenkervlak genoem, hierdie helfte
Die geleiers is N-tipe halfgeleiers of elektronies geleidende halfgeleiers.As 'n Al-atoom in SiC gebruik word om 'n Si-atoom te vervang, as gevolg van die gebrek aan 'n elektron, is die gevormde materiaalenergietoestand naby aan die valenselektronband hierbo, dit is maklik om elektrone te aanvaar, en word dus aanvaardend genoem.
Die hoofenergievlak, wat 'n vakante posisie in die valensband laat wat elektrone kan gelei omdat die vakante posisie dieselfde as die positiewe ladingdraer optree, word 'n P-tipe halfgeleier of gathalfgeleier genoem (H. Sarman, 1989).
Postyd: Sep-02-2023