Semicera se Silicon On Insulator (SOI) Wafer is aan die voorpunt van halfgeleierinnovasie, en bied verbeterde elektriese isolasie en uitstekende termiese werkverrigting. Die SOI-struktuur, bestaande uit 'n dun silikonlaag op 'n isolerende substraat, bied kritieke voordele vir hoëprestasie elektroniese toestelle.
Ons SOI-wafers is ontwerp om parasitiese kapasitansie en lekstrome te minimaliseer, wat noodsaaklik is vir die ontwikkeling van hoëspoed- en laekrag-geïntegreerde stroombane. Hierdie gevorderde tegnologie verseker dat toestelle meer doeltreffend werk, met verbeterde spoed en verminderde energieverbruik, noodsaaklik vir moderne elektronika.
Die gevorderde vervaardigingsprosesse wat deur Semicera gebruik word, waarborg die produksie van SOI-wafers met uitstekende eenvormigheid en konsekwentheid. Hierdie kwaliteit is noodsaaklik vir toepassings in telekommunikasie, motor- en verbruikerselektronika, waar betroubare en hoëpresterende komponente vereis word.
Benewens hul elektriese voordele, bied Semicera se SOI-wafers uitstekende termiese isolasie, wat hitteafvoer en stabiliteit in hoëdigtheid- en hoëkragtoestelle verbeter. Hierdie kenmerk is veral waardevol in toepassings wat aansienlike hitte-opwekking behels en effektiewe termiese bestuur vereis.
Deur Semicera se Silicon On Insulator Wafer te kies, belê jy in 'n produk wat die bevordering van die nuutste tegnologieë ondersteun. Ons verbintenis tot kwaliteit en innovasie verseker dat ons SOI-wafers voldoen aan die streng eise van vandag se halfgeleierbedryf, wat die grondslag bied vir die volgende generasie elektroniese toestelle.
Items | Produksie | Navorsing | Dummy |
Kristal parameters | |||
Politipe | 4H | ||
Oppervlakoriëntasiefout | <11-20 >4±0.15° | ||
Elektriese parameters | |||
Dopant | n-tipe stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Meganiese parameters | |||
Deursnee | 150,0±0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primêre plat oriëntasie | [1-100]±5° | ||
Primêre plat lengte | 47,5±1,5 mm | ||
Sekondêre woonstel | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Buig | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Skering | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorkant (Si-face) grofheid (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struktuur | |||
Mikropypdigtheid | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Metaal onsuiwerhede | ≤5E10atome/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Voorste kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakafwerking | Si-gesig CMP | ||
Deeltjies | ≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm) | NA | |
Skrape | ≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter | Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA |
Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting | Geen | NA | |
Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate | Geen | ||
Politipe areas | Geen | Kumulatiewe oppervlakte≤20% | Kumulatiewe oppervlakte≤30% |
Voorste lasermerk | Geen | ||
Terug kwaliteit | |||
Agterafwerking | C-gesig CMP | ||
Skrape | ≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA | |
Rugdefekte (randskyfies/inkepings) | Geen | ||
Rugheid | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Lasermerk op die rug | 1 mm (van die boonste rand) | ||
Rand | |||
Rand | Chamfer | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-gereed met vakuumverpakking Multi-wafer-kassetverpakking | ||
*Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD. |