Silikon op isolatorwafel

Kort beskrywing:

Semicera se Silicon On Insulator (SOI) Wafer bied uitsonderlike elektriese isolasie en termiese bestuur vir hoëprestasie toepassings. Hierdie wafers is ontwerp om voortreflike doeltreffendheid en betroubaarheid van toestelle te lewer, en is 'n uitstekende keuse vir gevorderde halfgeleiertegnologie. Kies Semicera vir die nuutste SOI-wafer-oplossings.


Produkbesonderhede

Produk Tags

Semicera se Silicon On Insulator (SOI) Wafer is aan die voorpunt van halfgeleierinnovasie, en bied verbeterde elektriese isolasie en uitstekende termiese werkverrigting. Die SOI-struktuur, bestaande uit 'n dun silikonlaag op 'n isolerende substraat, bied kritieke voordele vir hoëprestasie elektroniese toestelle.

Ons SOI-wafers is ontwerp om parasitiese kapasitansie en lekstrome te minimaliseer, wat noodsaaklik is vir die ontwikkeling van hoëspoed- en laekrag-geïntegreerde stroombane. Hierdie gevorderde tegnologie verseker dat toestelle meer doeltreffend werk, met verbeterde spoed en verminderde energieverbruik, noodsaaklik vir moderne elektronika.

Die gevorderde vervaardigingsprosesse wat deur Semicera gebruik word, waarborg die produksie van SOI-wafers met uitstekende eenvormigheid en konsekwentheid. Hierdie kwaliteit is noodsaaklik vir toepassings in telekommunikasie, motor- en verbruikerselektronika, waar betroubare en hoëpresterende komponente vereis word.

Benewens hul elektriese voordele, bied Semicera se SOI-wafers uitstekende termiese isolasie, wat hitteafvoer en stabiliteit in hoëdigtheid- en hoëkragtoestelle verbeter. Hierdie kenmerk is veral waardevol in toepassings wat aansienlike hitte-opwekking behels en effektiewe termiese bestuur vereis.

Deur Semicera se Silicon On Insulator Wafer te kies, belê jy in 'n produk wat die bevordering van voorpunttegnologieë ondersteun. Ons verbintenis tot kwaliteit en innovasie verseker dat ons SOI-wafers voldoen aan die streng eise van vandag se halfgeleierbedryf, wat die grondslag bied vir die volgende generasie elektroniese toestelle.

Items

Produksie

Navorsing

Dummy

Kristal parameters

Politipe

4H

Oppervlakoriëntasiefout

<11-20 >4±0.15°

Elektriese parameters

Dopant

n-tipe stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Meganiese parameters

Deursnee

150,0±0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primêre plat oriëntasie

[1-100]±5°

Primêre plat lengte

47,5±1,5 mm

Sekondêre woonstel

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Buig

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Skerring

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorkant (Si-face) grofheid (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktuur

Mikropypdigtheid

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Metaal onsuiwerhede

≤5E10atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakafwerking

Si-gesig CMP

Deeltjies

≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm)

NA

Skrape

≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter

Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting

Geen

NA

Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate

Geen

Politipe areas

Geen

Kumulatiewe oppervlakte≤20%

Kumulatiewe oppervlakte≤30%

Voorste lasermerk

Geen

Terug kwaliteit

Agterafwerking

C-gesig CMP

Skrape

≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Rugdefekte (randskyfies/inkepings)

Geen

Rugheid

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Lasermerk op die rug

1 mm (van die boonste rand)

Rand

Rand

Chamfer

Verpakking

Verpakking

Epi-gereed met vakuumverpakking

Multi-wafer-kassetverpakking

*Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD.

tegnologie_1_2_grootte
SiC-wafers

  • Vorige:
  • Volgende: