Semicera se Silicon Nitride Keramiek Substraat verteenwoordig die toppunt van gevorderde materiaal tegnologie, wat uitsonderlike termiese geleidingsvermoë en robuuste meganiese eienskappe bied. Hierdie substraat is ontwerp vir hoëprestasietoepassings en blink uit in omgewings wat betroubare termiese bestuur en strukturele integriteit vereis.
Ons Silicon Nitride Keramiek Substrate is ontwerp om uiterste temperature en strawwe toestande te weerstaan, wat hulle ideaal maak vir hoëkrag en hoëfrekwensie elektroniese toestelle. Hul uitstekende termiese geleidingsvermoë verseker doeltreffende hitte-afvoer, wat noodsaaklik is vir die handhawing van die werkverrigting en lang lewe van elektroniese komponente.
Semicera se verbintenis tot kwaliteit is duidelik in elke silikonnitride keramieksubstraat wat ons vervaardig. Elke substraat word vervaardig met behulp van moderne prosesse om konsekwente werkverrigting en minimale defekte te verseker. Hierdie hoë vlak van akkuraatheid ondersteun die streng eise van nywerhede soos motor, lugvaart en telekommunikasie.
Benewens hul termiese en meganiese voordele, bied ons substrate uitstekende elektriese isolasie-eienskappe, wat bydra tot die algehele betroubaarheid van jou elektroniese toestelle. Deur elektriese interferensie te verminder en komponentstabiliteit te verbeter, speel Semicera se Silicon Nitride Keramiek Substrate 'n deurslaggewende rol in die optimalisering van toestelwerkverrigting.
Die keuse van Semicera se Silicon Nitride Keramiek Substraat beteken om te belê in 'n produk wat beide hoë werkverrigting en duursaamheid lewer. Ons substrate is ontwerp om aan die behoeftes van gevorderde elektroniese toepassings te voldoen, om te verseker dat u toestelle voordeel trek uit die nuutste materiaaltegnologie en buitengewone betroubaarheid.
| Items | Produksie | Navorsing | Dummy |
| Kristal parameters | |||
| Politipe | 4H | ||
| Oppervlakoriëntasiefout | <11-20 >4±0.15° | ||
| Elektriese parameters | |||
| Dopant | n-tipe stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Meganiese parameters | |||
| Deursnee | 150,0±0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primêre plat oriëntasie | [1-100]±5° | ||
| Primêre plat lengte | 47,5±1,5 mm | ||
| Sekondêre woonstel | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Buig | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Skerring | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorkant (Si-face) grofheid (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktuur | |||
| Mikropypdigtheid | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metaal onsuiwerhede | ≤5E10atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Voorste kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakafwerking | Si-gesig CMP | ||
| Deeltjies | ≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm) | NA | |
| Skrape | ≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter | Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA |
| Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting | Geen | NA | |
| Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate | Geen | ||
| Politipe areas | Geen | Kumulatiewe oppervlakte≤20% | Kumulatiewe oppervlakte≤30% |
| Voorste lasermerk | Geen | ||
| Terug kwaliteit | |||
| Agterafwerking | C-gesig CMP | ||
| Skrape | ≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA | |
| Rugdefekte (randskyfies/inkepings) | Geen | ||
| Rugheid | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermerk op die rug | 1 mm (van die boonste rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-gereed met vakuumverpakking Multi-wafer-kassetverpakking | ||
| *Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD. | |||
