SemiceraSilikonkarbied keramiekbedekkingis 'n hoë-prestasie beskermende laag gemaak van uiters harde en slytvaste silikonkarbied (SiC) materiaal. Die laag word gewoonlik op die oppervlak van die substraat gedeponeer deur CVD of PVD proses metsilikonkarbieddeeltjies, wat uitstekende chemiese korrosiebestandheid en hoë temperatuurstabiliteit bied. Daarom word Silicon Carbide Keramiekbedekking wyd gebruik in sleutelkomponente van halfgeleiervervaardigingstoerusting.
In halfgeleiervervaardiging,SiC-bedekkingkan uiters hoë temperature van tot 1600°C weerstaan, so Silicon Carbide Keramiek Coating word dikwels gebruik as 'n beskermende laag vir toerusting of gereedskap om skade in hoë temperatuur of korrosiewe omgewings te voorkom.
Terselfdertyd,silikonkarbied keramiekbedekkingkan die erosie van sure, alkalieë, oksiede en ander chemiese reagense weerstaan, en het 'n hoë weerstand teen korrosie teen 'n verskeidenheid chemiese stowwe. Daarom is hierdie produk geskik vir verskeie korrosiewe omgewings in die halfgeleierbedryf.
Boonop, in vergelyking met ander keramiekmateriale, het SiC hoër termiese geleidingsvermoë en kan hitte effektief gelei word. Hierdie kenmerk bepaal dat in halfgeleierprosesse wat presiese temperatuurbeheer vereis, die hoë termiese geleidingsvermoë vanSilikonkarbied keramiekbedekkinghelp om hitte eweredig te versprei, plaaslike oorverhitting te voorkom, en verseker dat die toestel teen die optimale temperatuur werk.
| Basiese fisiese eienskappe van CVD sic coating | |
| Eiendom | Tipiese waarde |
| Kristal struktuur | FCC β fase polikristallyne, hoofsaaklik (111) georiënteerd |
| Digtheid | 3,21 g/cm³ |
| Hardheid | 2500 Vickers hardheid (500g vrag) |
| Graangrootte | 2~10μm |
| Chemiese suiwerheid | 99,99995% |
| Hitte kapasiteit | 640 J·kg-1·K-1 |
| Sublimasie temperatuur | 2700 ℃ |
| Buigkrag | 415 MPa RT 4-punt |
| Young se modulus | 430 Gpa 4pt buiging, 1300 ℃ |
| Termiese geleidingsvermoë | 300W·m-1·K-1 |
| Termiese uitbreiding (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
