Produkbeskrywing
Ons maatskappy verskafSiC-bedekkingverwerk dienste deur CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê word, en vormSIC beskermende laag.
Belangrikste kenmerke:
1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:
die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.
2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampneerlegging onder hoë temperatuur chloreringstoestand.
3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.
4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.
Hoofspesifikasies van CVD-SIC Coating
| SiC-CVD-eienskappe | ||
| Kristal struktuur | FCC β fase | |
| Digtheid | g/cm³ | 3.21 |
| Hardheid | Vickers hardheid | 2500 |
| Korrelgrootte | μm | 2~10 |
| Chemiese suiwerheid | % | 99,99995 |
| Hitte kapasiteit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimasie temperatuur | ℃ | 2700 |
| Feleksurale sterkte | MPa (RT 4-punt) | 415 |
| Young se modulus | Gpa (4pt-buiging, 1300℃) | 430 |
| Termiese uitbreiding (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Termiese geleidingsvermoë | (W/mK) | 300 |
