SiC-bedekte grafietbasisopnemers vir MOCVD

SiC-bedekte grafietbasisopnemersvir MOCVD van semicera is ontwerp om uitsonderlike prestasie in epitaksiale groeiprosesse te lewer. Die hoë kwaliteit silikonkarbiedbedekking op die grafietbasis verseker stabiliteit, duursaamheid en optimale termiese geleidingsvermoë tydens MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) bedrywighede. Deur die gebruik van semicera se innoverende susceptor-tegnologie, kan jy verbeterde akkuraatheid en doeltreffendheid inSi EpitaksieenSiC Epitaksietoepassings.

HierdieMOCVD-opnemersis ontwerp om 'n reeks noodsaaklike halfgeleierkomponente te ondersteun, soosPSS Ets Draer, ICP Ets Draer, enRTP Draer, wat hulle veelsydig maak vir verskeie ets- en epitaksiale take. Semicera se verbintenis tot hoë standaarde verseker dat hierdie susceptors voldoen aan die streng eise van moderne halfgeleierproduksie.

Ideaal vir gebruik inLED EpitaksiaalSusceptor-, Barrel Susceptor- en Monokristallyne Silicon-prosesse, hierdie susceptors kan aangepas word vir verskillende wafelgroottes, insluitend Pancake Susceptor-konfigurasies. Hulle is ook hoogs effektief in die hantering van fotovoltaïese onderdele, wat dit 'n deurslaggewende komponent maak in die ontwikkeling van doeltreffende sonselle.

Daarbenewens is SiC Coated Graphite Base Susceptors vir MOCVD geoptimaliseer vir GaN op SiC Epitaxy, wat hoë verenigbaarheid met gevorderde halfgeleiermateriale bied. Of jy daarop gefokus is om opbrengste te verbeter of die kwaliteit van epitaksiale groei te verbeter, semicera se susceptors verskaf die betroubaarheid en werkverrigting wat nodig is vir sukses in hoëtegnologie-industrieë.