CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Oorsig:CVDgrootmaat silikonkarbied (SiC)is 'n hoogs gesogte materiaal in plasma-etstoerusting, vinnige termiese verwerking (RTP) toepassings en ander halfgeleiervervaardigingsprosesse. Sy uitsonderlike meganiese, chemiese en termiese eienskappe maak dit 'n ideale materiaal vir gevorderde tegnologie toepassings wat hoë akkuraatheid en duursaamheid vereis.
Toepassings van CVD Bulk SiC:Grootmaat SiC is van kardinale belang in die halfgeleierbedryf, veral in plasma-etsstelsels, waar komponente soos fokusringe, gasstortkoppe, randringe en platen baat vind by SiC se uitstekende korrosiebestandheid en termiese geleidingsvermoë. Die gebruik daarvan strek totRTPstelsels as gevolg van SiC se vermoë om vinnige temperatuurskommelings te weerstaan sonder noemenswaardige agteruitgang.
Benewens etstoerusting, CVDgrootmaat SiCword bevoordeel in diffusie-oonde en kristalgroeiprosesse, waar hoë termiese stabiliteit en weerstand teen harde chemiese omgewings vereis word. Hierdie eienskappe maak SiC die materiaal van keuse vir hoë aanvraag toepassings wat hoë temperature en korrosiewe gasse behels, soos dié wat chloor en fluoor bevat.
Voordele van CVD Bulk SiC-komponente:
•Hoë digtheid:Met 'n digtheid van 3,2 g/cm³,CVD grootmaat SiCkomponente is hoogs bestand teen slytasie en meganiese impak.
•Uitstekende termiese geleidingsvermoë:Met termiese geleidingsvermoë van 300 W/m·K, bestuur grootmaat SiC hitte doeltreffend, wat dit ideaal maak vir komponente wat aan uiterste termiese siklusse blootgestel word.
•Uitsonderlike chemiese weerstand:Die lae reaktiwiteit van SiC met etsgasse, insluitend chloor en fluoorgebaseerde chemikalieë, verseker verlengde komponentlewe.
•Verstelbare weerstand: CVD grootmaat SiC'sweerstand kan aangepas word binne die reeks van 10⁻²–10⁴ Ω-cm, wat dit aanpasbaar maak vir spesifieke ets- en halfgeleiervervaardigingsbehoeftes.
•Termiese uitbreidingskoëffisiënt:Met 'n termiese uitsettingskoëffisiënt van 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), weerstaan CVD grootmaat SiC termiese skok, en behou dimensionele stabiliteit selfs tydens vinnige verhitting- en verkoelingsiklusse.
•Duursaamheid in plasma:Blootstelling aan plasma en reaktiewe gasse is onvermydelik in halfgeleierprosesse, maarCVD grootmaat SiCbied uitstekende weerstand teen korrosie en agteruitgang, wat die vervangingsfrekwensie en algehele instandhoudingskoste verminder.
Tegniese spesifikasies:
•Deursnee:Groter as 305 mm
•Weerstand:Verstelbaar binne 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Digtheid:3,2 g/cm³
•Termiese geleidingsvermoë:300 W/m·K
•Termiese uitbreidingskoëffisiënt:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Aanpassing en buigsaamheid:BySemicera Halfgeleier, verstaan ons dat elke halfgeleiertoepassing verskillende spesifikasies kan vereis. Dit is hoekom ons CVD grootmaat SiC-komponente volledig aanpasbaar is, met verstelbare weerstand en pasgemaakte afmetings om by jou toerustingbehoeftes te pas. Of jy nou jou plasma-etsstelsels optimaliseer of op soek is na duursame komponente in RTP of diffusieprosesse, ons CVD grootmaat SiC lewer ongeëwenaarde werkverrigting.
