-
Gister het die Wetenskap- en Tegnologie-innovasieraad 'n aankondiging uitgereik dat Huazhuo Precision Technology sy IPO beëindig het!
Pas die aflewering van die eerste 8-duim SIC-lasergloeitoerusting in China aangekondig, wat ook Tsinghua se tegnologie is; Hoekom het hulle die materiaal self onttrek? Net 'n paar woorde: Eerstens is die produkte te divers! Met die eerste oogopslag weet ek nie wat hulle doen nie. Tans is H...Lees meer -
CVD silikonkarbiedbedekking-2
CVD silikonkarbiedbedekking 1. Hoekom is daar 'n silikonkarbiedbedekking Die epitaksiale laag is 'n spesifieke enkelkristal dun film wat op die basis van die wafer deur die epitaksiale proses gegroei is. Die substraatwafer en die epitaksiale dun film word gesamentlik epitaksiale wafers genoem. Onder hulle is die...Lees meer -
Voorbereiding proses van SIC coating
Tans sluit die voorbereidingsmetodes van SiC-bedekking hoofsaaklik gel-sol-metode, inbeddingsmetode, kwasbedekkingsmetode, plasmaspuitmetode, chemiese dampreaksiemetode (CVR) en chemiese dampneerslagmetode (CVD) in. Inbedding metodeHierdie metode is 'n soort hoë-temperatuur vaste fase ...Lees meer -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Wat is CVD SiC Chemiese dampneerslag (CVD) is 'n vakuumneerslagproses wat gebruik word om hoë-suiwer vaste materiale te produseer. Hierdie proses word dikwels in die halfgeleiervervaardigingsveld gebruik om dun films op die oppervlak van wafers te vorm. In die proses om SiC deur CVD voor te berei, word die substraat uitgewerk ...Lees meer -
Analise van ontwrigtingstruktuur in SiC-kristal deur straalnasporingsimulasie bygestaan deur X-straal topologiese beelding
Navorsingsagtergrond Toepassingsbelangrikheid van silikonkarbied (SiC): As 'n wye bandgaping halfgeleiermateriaal, het silikonkarbied baie aandag getrek weens sy uitstekende elektriese eienskappe (soos groter bandgaping, hoër elektronversadigingsnelheid en termiese geleidingsvermoë). Hierdie stut...Lees meer -
Saadkristalvoorbereidingsproses in SiC enkelkristalgroei 3
Groeiverifikasie Die silikonkarbied (SiC) saadkristalle is voorberei na aanleiding van die uiteengesit proses en bekragtig deur SiC kristalgroei. Die groeiplatform wat gebruik is, was 'n selfontwikkelde SiC-induksie-groeioond met 'n groeitemperatuur van 2200℃, 'n groeidruk van 200 Pa, en 'n groei...Lees meer -
Saadkristalvoorbereidingsproses in SiC Enkelkristalgroei (Deel 2)
2. Eksperimentele proses 2.1 Uitharding van kleeffilm.Daar is waargeneem dat die direkte skep van 'n koolstoffilm of binding met grafietpapier op SiC-wafels wat met kleefmiddel bedek is tot verskeie probleme gelei het: 1. Onder vakuumtoestande het die kleeffilm op SiC-wafers 'n skaalagtige voorkoms ontwikkel a.g.v. om te teken...Lees meer -
Saadkristalvoorbereidingsproses in SiC Enkelkristalgroei
Silikonkarbied (SiC) materiaal het die voordele van 'n wye bandgaping, hoë termiese geleidingsvermoë, hoë kritieke afbreekveldsterkte en hoë versadigde elektrondryfsnelheid, wat dit hoogs belowend maak in die halfgeleiervervaardigingsveld. SiC enkelkristalle word oor die algemeen geproduseer deur ...Lees meer -
Wat is die metodes om wafers te poleer?
Van al die prosesse wat betrokke is by die skep van 'n skyfie, is die finale lot van die wafer om in individuele stempels gesny te word en in klein, ingeslote boksies verpak te word met slegs 'n paar penne bloot. Die skyfie sal geëvalueer word op grond van sy drempel-, weerstand-, stroom- en spanningwaardes, maar niemand sal dit oorweeg ...Lees meer -
Die basiese bekendstelling van SiC epitaksiale groeiproses
Epitaksiale laag is 'n spesifieke enkelkristalfilm wat op die wafer gegroei word deur epitaksiale proses, en die substraatwafer en epitaksiale film word epitaksiale wafer genoem. Deur die silikonkarbied epitaksiale laag op die geleidende silikonkarbied substraat te laat groei, sal die silikonkarbied homogene epitaksiale ...Lees meer -
Sleutelpunte van halfgeleierverpakkingsproses kwaliteitbeheer
Sleutelpunte vir kwaliteitbeheer in halfgeleierverpakkingsproses Tans is die prosestegnologie vir halfgeleierverpakking aansienlik verbeter en geoptimaliseer. Vanuit 'n algehele perspektief het die prosesse en metodes vir halfgeleierverpakking egter nog nie die mees perfekte ...Lees meer -
Uitdagings in halfgeleierverpakkingsproses
Die huidige tegnieke vir halfgeleierverpakking verbeter geleidelik, maar die mate waarin outomatiese toerusting en tegnologieë in halfgeleierverpakking aangeneem word, bepaal direk die verwesenliking van verwagte uitkomste. Die bestaande halfgeleierverpakkingsprosesse ly steeds onder ...Lees meer