Groeiverifikasie
Diesilikonkarbied (SiC)saadkristalle is voorberei volgens die uiteengesit proses en bekragtig deur SiC kristalgroei. Die groeiplatform wat gebruik is, was 'n self-ontwikkelde SiC-induksie-groeioond met 'n groeitemperatuur van 2200℃, 'n groeidruk van 200 Pa en 'n groeiduur van 100 uur.
Voorbereiding behels a6-duim SiC wafermet beide die koolstof- en silikonvlakke gepoleer, awaferdikte-uniformiteit van ≤10 µm, en 'n silikonvlakruwheid van ≤0.3 nm. 'n 200 mm deursnee, 500 µm dik grafietpapier, saam met gom, alkohol en pluisvrye lap is ook voorberei.
DieSiC waferis vir 15 sekondes teen 1500 r/min op die bindingsoppervlak met gom bedek.
Die gom op die binding oppervlak van dieSiC waferis op 'n warm plaat gedroog.
Die grafiet papier enSiC wafer(bindingsoppervlak na onder) is van onder na bo gestapel en in die saadkristal-warmpersoond geplaas. Die warmpers is volgens die voorafbepaalde warmpersproses uitgevoer. Figuur 6 toon die saadkristaloppervlak na die groeiproses. Dit kan gesien word dat die saadkristaloppervlak glad is met geen tekens van delaminering nie, wat aandui dat die SiC-saadkristalle wat in hierdie studie voorberei is goeie kwaliteit en 'n digte bindingslaag het.
Gevolgtrekking
Met inagneming van die huidige bindings- en ophangmetodes vir saadkristalfiksasie, is 'n gekombineerde bindings- en ophangmetode voorgestel. Hierdie studie het gefokus op die koolstoffilmvoorbereiding enwafer/grafietpapierbindingsproses wat vir hierdie metode vereis word, wat tot die volgende gevolgtrekkings lei:
Die viskositeit van die gom wat benodig word vir die koolstoffilm op die wafer moet 100 mPa·s wees, met 'n karbonisasietemperatuur van ≥600℃. Die optimale karbonisasie-omgewing is 'n argon-beskermde atmosfeer. As dit onder vakuumtoestande gedoen word, moet die vakuumgraad ≤1 Pa wees.
Beide die karbonisasie- en bindingsprosesse vereis lae-temperatuur-uitharding van die karbonisasie en binding van kleefmiddels op die wafeloppervlak om gasse uit die kleefmiddel te verdryf, wat afskilfering en leemte defekte in die bindingslaag tydens karbonisasie voorkom.
Die kleefmiddel vir die wafer/grafietpapier moet 'n viskositeit van 25 mPa·s hê, met 'n bindingsdruk van ≥15 kN. Tydens die bindingsproses moet die temperatuur stadig in die lae-temperatuur-reeks (<120℃) oor ongeveer 1,5 uur verhoog word. Die SiC-kristalgroeiverifikasie het bevestig dat die voorbereide SiC-saadkristalle voldoen aan die vereistes vir hoëgehalte SiC-kristalgroei, met gladde saadkristaloppervlaktes en geen neerslae nie.
Postyd: Jun-11-2024