-
Halfgeleiervervaardigingsproses – Etstegnologie
Honderde prosesse is nodig om 'n wafer in 'n halfgeleier te verander. Een van die belangrikste prosesse is ets – dit wil sê om fyn stroombaanpatrone op die wafer te kerf. Die sukses van die etsproses hang af van die bestuur van verskeie veranderlikes binne 'n vasgestelde verspreidingsreeks, en elke ets...Lees meer -
Ideale materiaal vir fokusringe in plasma-etstoerusting: silikonkarbied (SiC)
In plasma-etstoerusting speel keramiekkomponente 'n deurslaggewende rol, insluitend die fokusring. Die fokusring, wat om die wafer geplaas is en in direkte kontak daarmee, is noodsaaklik om die plasma op die wafer te fokus deur spanning op die ring toe te pas. Dit verbeter die on...Lees meer -
Front End of Line (FEOL): Lê die fondament
Die voorkant van die produksielyn is soos om die fondasie te lê en die mure van 'n huis te bou. In halfgeleiervervaardiging behels hierdie stadium die skep van die basiese strukture en transistors op 'n silikonwafel. Sleutelstappe van FEOL: ...Lees meer -
Effek van silikonkarbied-enkelkristalverwerking op wafeloppervlakkwaliteit
Halfgeleierkragtoestelle beklee 'n kernposisie in kragelektroniese stelsels, veral in die konteks van die vinnige ontwikkeling van tegnologieë soos kunsmatige intelligensie, 5G-kommunikasie en nuwe energievoertuie, die prestasievereistes daarvoor was ...Lees meer -
Sleutelkernmateriaal vir SiC-groei: Tantaalkarbiedbedekking
Tans word die derde generasie halfgeleiers deur silikonkarbied oorheers. In die kostestruktuur van sy toestelle is die substraat verantwoordelik vir 47%, en die epitaksie verantwoordelik vir 23%. Die twee maak saam sowat 70% uit, wat die belangrikste deel van die vervaardiging van silikonkarbiedtoestelle is...Lees meer -
Hoe verbeter tantaalkarbiedbedekte produkte die korrosiebestandheid van materiale?
Tantaalkarbiedbedekking is 'n algemeen gebruikte oppervlakbehandelingstegnologie wat die korrosiebestandheid van materiale aansienlik kan verbeter. Tantaalkarbiedbedekking kan aan die oppervlak van die substraat geheg word deur verskillende voorbereidingsmetodes, soos chemiese dampneerslag, fisika ...Lees meer -
Gister het die Wetenskap- en Tegnologie-innovasieraad 'n aankondiging uitgereik dat Huazhuo Precision Technology sy IPO beëindig het!
Pas die aflewering van die eerste 8-duim SIC-lasergloeitoerusting in China aangekondig, wat ook Tsinghua se tegnologie is; Hoekom het hulle die materiaal self onttrek? Net 'n paar woorde: Eerstens is die produkte te divers! Met die eerste oogopslag weet ek nie wat hulle doen nie. Tans is H...Lees meer -
CVD silikonkarbiedbedekking-2
CVD silikonkarbiedbedekking 1. Hoekom is daar 'n silikonkarbiedbedekking Die epitaksiale laag is 'n spesifieke enkelkristal dun film wat op die basis van die wafer deur die epitaksiale proses gegroei is. Die substraatwafer en die epitaksiale dun film word gesamentlik epitaksiale wafers genoem. Onder hulle is die...Lees meer -
Voorbereiding proses van SIC coating
Tans sluit die voorbereidingsmetodes van SiC-bedekking hoofsaaklik gel-sol-metode, inbeddingsmetode, kwasbedekkingsmetode, plasmaspuitmetode, chemiese dampreaksiemetode (CVR) en chemiese dampneerslagmetode (CVD) in. Inbedding metodeHierdie metode is 'n soort hoë-temperatuur vaste fase ...Lees meer -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Wat is CVD SiC Chemiese dampneerslag (CVD) is 'n vakuumneerslagproses wat gebruik word om hoë-suiwer vaste materiale te produseer. Hierdie proses word dikwels in die halfgeleiervervaardigingsveld gebruik om dun films op die oppervlak van wafers te vorm. In die proses om SiC deur CVD voor te berei, word die substraat uitgewerk ...Lees meer -
Analise van ontwrigtingstruktuur in SiC-kristal deur straalnasporingsimulasie bygestaan deur X-straal topologiese beelding
Navorsingsagtergrond Toepassingsbelangrikheid van silikonkarbied (SiC): As 'n wye bandgaping halfgeleiermateriaal, het silikonkarbied baie aandag getrek weens sy uitstekende elektriese eienskappe (soos groter bandgaping, hoër elektronversadigingsnelheid en termiese geleidingsvermoë). Hierdie stut...Lees meer -
Saadkristalvoorbereidingsproses in SiC enkelkristalgroei 3
Groeiverifikasie Die silikonkarbied (SiC) saadkristalle is voorberei na aanleiding van die uiteengesit proses en bekragtig deur SiC kristalgroei. Die groeiplatform wat gebruik is, was 'n selfontwikkelde SiC-induksie-groeioond met 'n groeitemperatuur van 2200℃, 'n groeidruk van 200 Pa, en 'n groei...Lees meer