-
Wat is Tantaalkarbied?
Tantaalkarbied (TaC) is 'n binêre verbinding van tantaal en koolstof met die chemiese formule TaC x, waar x gewoonlik tussen 0,4 en 1 wissel. Dit is uiters harde, bros, vuurvaste keramiekmateriale met metaalgeleidingsvermoë. Hulle is bruingrys poeiers en is ons...Lees meer -
wat is tantaalkarbied
Tantaalkarbied (TaC) is 'n ultra-hoë temperatuur keramiek materiaal met hoë temperatuur weerstand, hoë digtheid, hoë kompaktheid; hoë suiwerheid, onreinheid inhoud <5PPM; en chemiese traagheid teenoor ammoniak en waterstof by hoë temperature, en goeie termiese stabiliteit. Die sogenaamde ultrahoë ...Lees meer -
Wat is epitaksie?
Die meeste ingenieurs is nie vertroud met epitaksie nie, wat 'n belangrike rol speel in die vervaardiging van halfgeleiertoestelle. Epitaksie kan in verskillende skyfieprodukte gebruik word, en verskillende produkte het verskillende tipes epitaksie, insluitend Si epitaksie, SiC epitaksie, GaN epitaksie, ens. Wat is epitaksie? Epitaksie is...Lees meer -
Wat is die belangrike parameters van SiC?
Silikonkarbied (SiC) is 'n belangrike wye bandgaping halfgeleiermateriaal wat wyd gebruik word in hoëkrag- en hoëfrekwensie-elektroniese toestelle. Die volgende is 'n paar sleutelparameters van silikonkarbiedwafels en hul gedetailleerde verduidelikings: Roosterparameters: Maak seker dat die ...Lees meer -
Hoekom moet enkelkristal silikon gerol word?
Rol verwys na die proses om die buitenste deursnee van 'n silikon-enkelkristalstaaf in 'n enkelkristalstaaf van die vereiste deursnee te slyp deur 'n diamantslypwiel te gebruik, en 'n plat rand verwysingsoppervlak of posisioneringsgroef van die enkelkristalstaaf uit te slyp. Die buitenste deursnee oppervlak ...Lees meer -
Prosesse vir die vervaardiging van hoë gehalte SiC-poeiers
Silikonkarbied (SiC) is 'n anorganiese verbinding wat bekend is vir sy uitsonderlike eienskappe. Natuurlike SiC, bekend as moissaniet, is redelik skaars. In industriële toepassings word silikonkarbied hoofsaaklik deur sintetiese metodes vervaardig. By Semicera Semiconductor maak ons gebruik van gevorderde tegniek...Lees meer -
Beheer van eenvormigheid van radiale weerstand tydens kristaltrek
Die hoofredes wat die eenvormigheid van radiale weerstand van enkelkristalle beïnvloed, is die platheid van die vastestof-vloeistof-koppelvlak en die kleinvlak-effek tydens kristalgroei. Die invloed van die platheid van die vastestof-vloeistof-koppelvlak Tydens kristalgroei, as die smelt eweredig geroer word , die...Lees meer -
Waarom kan magnetiese veld-enkelkristaloond die kwaliteit van enkelkristal verbeter?
Aangesien smeltkroes as houer gebruik word en daar konveksie binne is, soos die grootte van gegenereerde enkelkristal toeneem, word hittekonveksie en temperatuurgradiënt-uniformiteit moeiliker om te beheer. Deur magnetiese veld by te voeg om die geleidende smelt op Lorentz-krag te laat inwerk, kan konveksie ...Lees meer -
Vinnige groei van SiC enkelkristalle met behulp van CVD-SiC grootmaat bron deur sublimasie metode
Vinnige groei van SiC Enkelkristal Met behulp van CVD-SiC Grootmaat Bron via Sublimasie Metode Deur herwinde CVD-SiC blokke as die SiC bron te gebruik, is SiC kristalle suksesvol gegroei teen 'n tempo van 1.46 mm/h deur die PVT metode. Die gegroeide kristal se mikropyp en ontwrigting digthede dui aan dat de...Lees meer -
Geoptimaliseerde en vertaalde inhoud op silikonkarbied epitaksiale groeitoerusting
Silikonkarbied (SiC) substrate het talle defekte wat direkte verwerking verhoed. Om skyfieskyfies te skep, moet 'n spesifieke enkelkristalfilm op die SiC-substraat gegroei word deur 'n epitaksiale proses. Hierdie film staan bekend as die epitaksiale laag. Byna alle SiC-toestelle word op epitaksiale...Lees meer -
Die deurslaggewende rol en toepassingsgevalle van SiC-bedekte grafietopnemers in halfgeleiervervaardiging
Semicera Semiconductor beplan om die produksie van kernkomponente vir halfgeleiervervaardigingstoerusting wêreldwyd te verhoog. Teen 2027 beoog ons om 'n nuwe fabriek van 20 000 vierkante meter te vestig met 'n totale belegging van 70 miljoen USD. Een van ons kernkomponente, die silikonkarbied (SiC) wafer dra...Lees meer -
Hoekom moet ons epitaksie op silikonwafelsubstrate doen?
In die halfgeleier-industrieketting, veral in die derdegenerasie-halfgeleier (wye bandgap-halfgeleier)-industrieketting, is daar substrate en epitaksiale lae. Wat is die betekenis van die epitaksiale laag? Wat is die verskil tussen die substraat en die substraat? Die substr...Lees meer