LED-ets Silikonkarbied-lagerbak, ICP-bak (Ets)

Kort beskrywing:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. is 'n toonaangewende verskaffer wat spesialiseer in wafers en gevorderde halfgeleierverbruiksgoedere.Ons is toegewyd aan die verskaffing van hoë gehalte, betroubare en innoverende produkte aan halfgeleiervervaardiging,fotovoltaïese industrieen ander verwante velde.

Ons produkreeks bevat SiC/TaC-bedekte grafietprodukte en keramiekprodukte, wat verskeie materiale insluit soos silikonkarbied, silikonnitried en aluminiumoksied en ens.

As 'n betroubare verskaffer verstaan ​​ons die belangrikheid van verbruiksgoedere in die vervaardigingsproses, en ons is daartoe verbind om produkte te lewer wat aan die hoogste gehaltestandaarde voldoen om aan ons kliënte se behoeftes te voldoen.

 

Produkbesonderhede

Produk Tags

Produkbeskrywing

Ons maatskappy bied SiC-bedekkingsprosesdienste volgens CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê word, die vorming van SIC beskermende laag.

Belangrikste kenmerke:

1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:

die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.

2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampneerlegging onder hoë temperatuur chloreringstoestand.

3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.

4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.

Hoofspesifikasies van CVD-SIC Coating

SiC-CVD-eienskappe

Kristal struktuur

FCC β fase

Digtheid

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers hardheid

2500

Korrelgrootte

μm

2~10

Chemiese suiwerheid

%

99,99995

Hitte kapasiteit

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimasie temperatuur

2700

Feleksurale sterkte

MPa (RT 4-punt)

415

Young se modulus

Gpa (4pt-buiging, 1300℃)

430

Termiese uitbreiding (CTE)

10-6K-1

4.5

Termiese geleidingsvermoë

(W/mK)

300


  • Vorige:
  • Volgende: