SiC Wafer Boot
Silikonkarbied wafer bootis 'n lasdraende toestel vir wafers, hoofsaaklik gebruik in sonkrag en halfgeleier diffusie prosesse. Dit het eienskappe soos slytasieweerstand, korrosiebestandheid, hoë-temperatuur impak weerstand, weerstand teen plasma bombardement, hoë temperatuur dravermoë, hoë termiese geleidingsvermoë, hoë hitte afvoer, en langtermyn gebruik wat nie maklik is om te buig en te vervorm nie. Ons maatskappy gebruik hoë-suiwer silikonkarbied materiaal om lewensduur te verseker en verskaf pasgemaakte ontwerpe, insluitend. verskeie vertikale en horisontalewafer boot.
SiC Paddle
Diesilikonkarbied vrykrag-roeispanword hoofsaaklik gebruik in die (diffusie) deklaag van silikonwafels, wat 'n deurslaggewende rol speel in die laai en vervoer van silikonwafels by hoë temperatuur. Dit is 'n sleutelkomponent vanhalfgeleier waferlaaistelsels en het die volgende hoofkenmerke:
1. Dit vervorm nie in hoë temperatuur omgewings nie en het 'n hoë laaikrag op die wafers;
2. Dit is bestand teen uiterste koue en vinnige hitte, en het 'n lang dienslewe;
3. Die termiese uitsettingskoëffisiënt is klein, wat die onderhoud- en skoonmaaksiklus aansienlik verleng, en besoedelende stowwe aansienlik verminder.
SiC Oondbuis
Silikonkarbied proses buis, gemaak van hoë-suiwer SiC sonder metaal onsuiwerhede, besoedel nie die wafer nie, en is geskik vir prosesse soos halfgeleier en fotovoltaïese diffusie, uitgloeiing en oksidasie proses.
SiC Robotarm
SiC robotarm, ook bekend as wafer transfer end effector, is 'n robotarm wat gebruik word om halfgeleierwafers te vervoer en word wyd gebruik in die halfgeleier-, opto-elektroniese en sonkrag-industrieë. Die gebruik van hoë-suiwer silikonkarbied, met 'n hoë hardheid, slytasieweerstand, seismiese weerstand, langtermyn gebruik sonder vervorming, lang lewensduur, ens., kan pasgemaakte dienste verskaf.
Grafiet vir kristalgroei
Grafiet hitte skild
Grafiet elektrode buis
Grafietdeflekter
Grafiet chuck
Alle prosesse wat gebruik word vir die kweek van halfgeleier-krvstals werk in hoë-temperatuur en korrosiewe omgewings. Die warm sone van die kristalgroei-oond is gewoonlik toegerus met hittebestande en korrosiebestande hoë suiwerheid. grafiet komponente, soos grafiet verwarmers, smeltkroeë, silinders, deflector, chucks, buise, ringe, houers, neute, ens. Ons finale produk kan 'n as-inhoud van minder as 5 dpm bereik.
Grafiet vir halfgeleider epitaksie
Grafiet basis
Grafiet epitaksiale vat
Monocry Stalyn Silikon Epitaksiale Basis
MOCVD grafiet onderdele
Halfgeleier grafiet armatuur
Epitaksiale proses verwys na die groei van 'n enkelkristalmateriaal op 'n enkelkristalsubstraat met dieselfde roosterrangskikking as die substraat. Dit vereis baie ultra-hoë suiwer grafiet dele en grafiet basis met SIC coating. Die hoë suiwerheid grafiet wat gebruik word vir halfgeleier epitaksie het 'n wye verskeidenheid van toepassings, wat kan ooreenstem met mees algemeen gebruikte toerusting in die industrie, Terselfdertyd, dit het 'n baie hoë. suiwerheid, eenvormige bedekking, uitstekende dienslewe, en uiters hoë chemiese weerstand en termiese stabiliteit.
Isolasie materiaal en ander
Termiese isolasiemateriaal wat in halfgeleierproduksie gebruik word, is grafietharde vilt, sagte vilt, grafietfoelie, koolstof saamgestelde materiale, ens. Ons grondstowwe is ingevoerde grafietmateriale, wat gesny kan word volgens die spesifikasie van klante, en kan ook verkoop word as 'n heel. Koolstof saamgestelde materiaal word gewoonlik gebruik as 'n draer vir sonmonokristal en polisilicon sel produksie proses.