CVD Tantaalkarbied-bedekte boonste halfmaan

Kort beskrywing:

Met die koms van 8-duim silikonkarbied (SiC) wafers, het die vereistes vir verskeie halfgeleierprosesse al hoe strenger geword, veral vir epitaksieprosesse waar temperature 2000 grade Celsius kan oorskry. Tradisionele susceptormateriale, soos grafiet bedek met silikonkarbied, is geneig om by hierdie hoë temperature te sublimeer, wat die epitaksieproses ontwrig. CVD tantaalkarbied (TaC) spreek egter hierdie probleem effektief aan, weerstaan ​​temperature tot 2300 grade Celsius en bied 'n langer lewensduur. Kontak Semicera's CVD Tantaalkarbied-bedekte boonste halfmaanom meer oor ons gevorderde oplossings te verken.

 


Produkbesonderhede

Produk Tags

Semicera verskaf gespesialiseerde tantaalkarbied (TaC) bedekkings vir verskeie komponente en draers.Semicera toonaangewende deklaagproses stel tantaalkarbied (TaC)-bedekkings in staat om hoë suiwerheid, hoë temperatuurstabiliteit en hoë chemiese verdraagsaamheid te bereik, wat die kwaliteit van die produk van SIC/GAN-kristalle en EPI-lae verbeter (Grafietbedekte TaC-susceptor), en die lewensduur van sleutelreaktorkomponente verleng. Die gebruik van tantaalkarbied-TAC-bedekking is om die randprobleem op te los en die kwaliteit van kristalgroei te verbeter, en Semicera het deurbraak die tantaalkarbiedbedekkingstegnologie (CVD) opgelos en die internasionale gevorderde vlak bereik.

 

Met die koms van 8-duim silikonkarbied (SiC) wafers, het die vereistes vir verskeie halfgeleierprosesse al hoe strenger geword, veral vir epitaksieprosesse waar temperature 2000 grade Celsius kan oorskry. Tradisionele susceptormateriale, soos grafiet bedek met silikonkarbied, is geneig om by hierdie hoë temperature te sublimeer, wat die epitaksieproses ontwrig. CVD tantaalkarbied (TaC) spreek egter hierdie probleem effektief aan, weerstaan ​​temperature tot 2300 grade Celsius en bied 'n langer lewensduur. Kontak Semicera's CVD Tantaalkarbied-bedekte boonste halfmaanom meer oor ons gevorderde oplossings te verken.

Na jare se ontwikkeling het Semicera die tegnologie van verowerCVD TaCmet die gesamentlike pogings van die R&D-afdeling. Defekte is maklik om te voorkom in die groeiproses van SiC-wafers, maar na gebruikTaC, die verskil is beduidend. Hieronder is 'n vergelyking van wafers met en sonder TaC, sowel as Simicera se dele vir enkelkristalgroei.

微信图片_20240227150045

met en sonder TAC

微信图片_20240227150053

Na gebruik van TaC (regs)

Verder, Semicera'sTaC-bedekte produktetoon 'n langer dienslewe en groter hoë-temperatuur weerstand in vergelyking metSiC-bedekkings.Laboratoriummetings het getoon dat onsTaC-bedekkingskan konsekwent presteer by temperature tot 2300 grade Celsius vir lang tydperke. Hieronder is 'n paar voorbeelde van ons voorbeelde:

 
3

TaC-bedekte susceptor

4

Grafiet met TaC-bedekte reaktor

0(1)
Semicera Werkplek
Semicera werkplek 2
Toerusting masjien
Semicera Ware House
CNN-verwerking, chemiese skoonmaak, CVD-bedekking
Ons diens

  • Vorige:
  • Volgende: