Inleiding tot silikonkarbiedbedekking
Ons Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) deklaag is 'n hoogs duursame en slytiewe laag, ideaal vir omgewings wat hoë korrosie- en termiese weerstand vereis.Silikonkarbiedbedekkingword in dun lae op verskeie substrate toegedien deur die CVD-proses, wat uitstekende werkverrigting-eienskappe bied.
Sleutel kenmerke
● -Uitsonderlike suiwerheid: Spog met 'n ultra-suiwer samestelling van99,99995%, onsSiC-bedekkingverminder kontaminasierisiko's in sensitiewe halfgeleierbedrywighede.
● -Superior Weerstand: Toon uitstekende weerstand teen beide slytasie en korrosie, wat dit perfek maak vir uitdagende chemiese en plasma-instellings.
● -Hoë termiese geleidingsvermoë: Verseker betroubare werkverrigting onder uiterste temperature as gevolg van sy uitstaande termiese eienskappe.
● -Dimensionele stabiliteit: Handhaaf strukturele integriteit oor 'n wye reeks temperature, danksy sy lae termiese uitsettingskoëffisiënt.
● -Verbeterde hardheid: Met 'n hardheid gradering van40 GPa, ons SiC-bedekking weerstaan aansienlike impak en skuur.
● Gladde oppervlakafwerking: Verskaf 'n spieëlagtige afwerking, wat deeltjiegenerering verminder en bedryfsdoeltreffendheid verbeter.
Aansoeke
Semicera SiC-bedekkingsword in verskeie stadiums van halfgeleiervervaardiging gebruik, insluitend:
● -LED-chip vervaardiging
● -Polisilikon produksie
● -Halfgeleier kristalgroei
● -Silikon en SiC Epitaksie
● -Termiese oksidasie en diffusie (TO&D)
Ons verskaf SiC-bedekte komponente gemaak van hoësterkte isostatiese grafiet, koolstofveselversterkte koolstof en 4N herkristalliseerde silikonkarbied, aangepas vir werwelbedreaktore,STC-TCS-omsetters, CZ-eenheidreflektors, SiC-waferboot, SiCwafer-roeispan, SiC-waferbuis en wafeldraers wat gebruik word in PECVD, silikon-epitaksie, MOCVD-prosesse.
Voordele
● -Verlengde lewensduur: Verminder toerusting stilstandtyd en onderhoudskoste aansienlik, wat algehele produksiedoeltreffendheid verbeter.
● -Verbeterde kwaliteit: Bereik hoë-suiwer oppervlaktes wat nodig is vir halfgeleierverwerking, en verhoog dus produkkwaliteit.
● -Verhoogde doeltreffendheid: Optimaliseer termiese en CVD-prosesse, wat korter siklustye en hoër opbrengste tot gevolg het.
Tegniese spesifikasies
● -Struktuur: FCC β-fase polikristallien, hoofsaaklik (111)georiënteerd
● -Digtheid: 3,21 g/cm³
● -Hardheid: 2500 Vickes hardheid (500g vrag)
● - Breuktaaiheid: 3,0 MPa·m1/2
● -Termiese uitbreidingskoëffisiënt (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastiese modulus(1300 ℃):435 GPa
● -Tipiese filmdikte:100 µm
● - Oppervlakgrofheid:2-10 µm
Suiwerheidsdata (gemeet deur gloeiontladingsmassaspektroskopie)
| Element | dpm | Element | dpm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
