Semicera se 6-duim semi-isolerende HPSI SiC-wafers is ontwerp om aan die streng eise van moderne halfgeleiertegnologie te voldoen. Met uitsonderlike suiwerheid en konsekwentheid dien hierdie wafers as 'n betroubare basis vir die ontwikkeling van hoë-doeltreffendheid elektroniese komponente.
Hierdie HPSI SiC-wafers is bekend vir hul uitstekende termiese geleidingsvermoë en elektriese isolasie, wat krities is vir die optimalisering van die werkverrigting van kragtoestelle en hoëfrekwensiekringe. Die semi-isolerende eienskappe help om elektriese interferensie te minimaliseer en die doeltreffendheid van die toestel te maksimeer.
Die vervaardigingsproses van hoë gehalte wat deur Semicera gebruik word, verseker dat elke wafer eenvormige dikte en minimale oppervlakfoute het. Hierdie akkuraatheid is noodsaaklik vir gevorderde toepassings soos radiofrekwensietoestelle, kragomskakelaars en LED-stelsels, waar werkverrigting en duursaamheid sleutelfaktore is.
Deur gebruik te maak van die nuutste produksietegnieke, verskaf Semicera wafers wat nie net aan industriestandaarde voldoen nie, maar ook oorskry. Die 6-duim-grootte bied buigsaamheid in die opskaling van produksie, wat voorsiening maak vir beide navorsing en kommersiële toepassings in die halfgeleiersektor.
Om Semicera se 6-duim semi-isolerende HPSI SiC-wafers te kies, beteken om te belê in 'n produk wat konsekwente kwaliteit en werkverrigting lewer. Hierdie wafers is deel van Semicera se verbintenis tot die bevordering van die vermoëns van halfgeleiertegnologie deur innoverende materiale en noukeurige vakmanskap.
| Items | Produksie | Navorsing | Dummy |
| Kristal parameters | |||
| Politipe | 4H | ||
| Oppervlakoriëntasiefout | <11-20 >4±0.15° | ||
| Elektriese parameters | |||
| Dopant | n-tipe stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Meganiese parameters | |||
| Deursnee | 150,0±0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primêre plat oriëntasie | [1-100]±5° | ||
| Primêre plat lengte | 47,5±1,5 mm | ||
| Sekondêre woonstel | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Buig | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Skering | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorkant (Si-face) grofheid (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktuur | |||
| Mikropypdigtheid | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metaal onsuiwerhede | ≤5E10atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Voorste kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakafwerking | Si-gesig CMP | ||
| Deeltjies | ≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm) | NA | |
| Skrape | ≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter | Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA |
| Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting | Geen | NA | |
| Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate | Geen | ||
| Politipe areas | Geen | Kumulatiewe oppervlakte≤20% | Kumulatiewe oppervlakte≤30% |
| Voorste lasermerk | Geen | ||
| Terug kwaliteit | |||
| Agterafwerking | C-gesig CMP | ||
| Skrape | ≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA | |
| Rugdefekte (randskyfies/inkepings) | Geen | ||
| Rugheid | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermerk op die rug | 1 mm (van die boonste rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-gereed met vakuumverpakking Multi-wafer-kassetverpakking | ||
| *Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD. | |||
