Semicera se 4”6” hoë suiwer semi-isolerende SiC blokke is ontwerp om aan die streng standaarde van die halfgeleier industrie te voldoen. Hierdie blokke word geproduseer met 'n fokus op suiwerheid en konsekwentheid, wat dit 'n ideale keuse maak vir hoëkrag- en hoëfrekwensietoepassings waar werkverrigting uiters belangrik is.
Die unieke eienskappe van hierdie SiC-blokke, insluitend hoë termiese geleidingsvermoë en uitstekende elektriese weerstand, maak hulle veral geskik vir gebruik in kragelektronika en mikrogolftoestelle. Hul semi-isolerende aard maak voorsiening vir effektiewe hitte-afvoer en minimale elektriese interferensie, wat lei tot meer doeltreffende en betroubare komponente.
Semicera gebruik moderne vervaardigingsprosesse om blokke met uitsonderlike kristalkwaliteit en eenvormigheid te vervaardig. Hierdie akkuraatheid verseker dat elke ingot betroubaar gebruik kan word in sensitiewe toepassings, soos hoëfrekwensieversterkers, laserdiodes en ander opto-elektroniese toestelle.
Beskikbaar in beide 4-duim en 6-duim groottes, Semicera se SiC blokke bied die buigsaamheid wat nodig is vir verskeie produksie skale en tegnologiese vereistes. Of dit nou vir navorsing en ontwikkeling of massaproduksie is, hierdie blokke lewer die werkverrigting en duursaamheid wat moderne elektroniese stelsels vereis.
Deur Semicera se High Purity Semi-Isolating SiC Ingots te kies, belê jy in 'n produk wat gevorderde materiaalwetenskap met ongeëwenaarde vervaardigingskundigheid kombineer. Semicera is toegewyd aan die ondersteuning van die innovasie en groei van die halfgeleierbedryf, en bied materiaal wat die ontwikkeling van die nuutste elektroniese toestelle moontlik maak.
| Items | Produksie | Navorsing | Dummy |
| Kristal parameters | |||
| Politipe | 4H | ||
| Oppervlakoriëntasiefout | <11-20 >4±0.15° | ||
| Elektriese parameters | |||
| Dopant | n-tipe stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Meganiese parameters | |||
| Deursnee | 150,0±0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primêre plat oriëntasie | [1-100]±5° | ||
| Primêre plat lengte | 47,5±1,5 mm | ||
| Sekondêre woonstel | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Buig | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Skering | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorkant (Si-face) grofheid (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktuur | |||
| Mikropypdigtheid | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metaal onsuiwerhede | ≤5E10atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Voorste kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakafwerking | Si-gesig CMP | ||
| Deeltjies | ≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm) | NA | |
| Skrape | ≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter | Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA |
| Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting | Geen | NA | |
| Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate | Geen | ||
| Politipe areas | Geen | Kumulatiewe oppervlakte≤20% | Kumulatiewe oppervlakte≤30% |
| Voorste lasermerk | Geen | ||
| Terug kwaliteit | |||
| Agterafwerking | C-gesig CMP | ||
| Skrape | ≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA | |
| Rugdefekte (randskyfies/inkepings) | Geen | ||
| Rugheid | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermerk op die rug | 1 mm (van die boonste rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-gereed met vakuumverpakking Multi-wafer-kassetverpakking | ||
| *Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD. | |||
