4 duim N-tipe SiC substraat

Kort beskrywing:

Semicera se 4-duim N-tipe SiC-substrate is noukeurig ontwerp vir voortreflike elektriese en termiese werkverrigting in kragelektronika en hoëfrekwensietoepassings. Hierdie substrate bied uitstekende geleidingsvermoë en stabiliteit, wat hulle ideaal maak vir die volgende generasie halfgeleiertoestelle. Vertrou Semicera vir presisie en kwaliteit in gevorderde materiale.


Produkbesonderhede

Produk Tags

Semicera se 4-duim N-tipe SiC-substrate is vervaardig om aan die streng standaarde van die halfgeleierbedryf te voldoen. Hierdie substrate bied 'n hoëprestasie-grondslag vir 'n wye reeks elektroniese toepassings, wat uitsonderlike geleidingsvermoë en termiese eienskappe bied.

Die N-tipe doping van hierdie SiC-substrate verhoog hul elektriese geleidingsvermoë, wat hulle veral geskik maak vir hoëkrag- en hoëfrekwensietoepassings. Hierdie eienskap maak voorsiening vir die doeltreffende werking van toestelle soos diodes, transistors en versterkers, waar die minimalisering van energieverlies noodsaaklik is.

Semicera gebruik die nuutste vervaardigingsprosesse om te verseker dat elke substraat uitstekende oppervlakkwaliteit en eenvormigheid vertoon. Hierdie akkuraatheid is van kritieke belang vir toepassings in kragelektronika, mikrogolftoestelle en ander tegnologieë wat betroubare werkverrigting onder uiterste toestande vereis.

Om Semicera se N-tipe SiC-substrate in jou produksielyn in te sluit, beteken om voordeel te trek uit materiale wat uitstekende hitteafvoer en elektriese stabiliteit bied. Hierdie substrate is ideaal vir die skep van komponente wat duursaamheid en doeltreffendheid vereis, soos kragomskakelingstelsels en RF-versterkers.

Deur Semicera se 4 Duim N-tipe SiC Substrate te kies, belê jy in 'n produk wat innoverende materiaalwetenskap met noukeurige vakmanskap kombineer. Semicera gaan voort om die bedryf te lei deur oplossings te verskaf wat die ontwikkeling van voorpunt-halfgeleiertegnologieë ondersteun, wat hoë werkverrigting en betroubaarheid verseker.

Items

Produksie

Navorsing

Dummy

Kristal parameters

Politipe

4H

Oppervlakoriëntasiefout

<11-20 >4±0.15°

Elektriese parameters

Dopant

n-tipe stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Meganiese parameters

Deursnee

150,0±0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primêre plat oriëntasie

[1-100]±5°

Primêre plat lengte

47,5±1,5 mm

Sekondêre woonstel

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Buig

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Skerring

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorkant (Si-face) grofheid (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktuur

Mikropypdigtheid

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Metaal onsuiwerhede

≤5E10atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakafwerking

Si-gesig CMP

Deeltjies

≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm)

NA

Skrape

≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter

Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting

Geen

NA

Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate

Geen

Politipe areas

Geen

Kumulatiewe oppervlakte≤20%

Kumulatiewe oppervlakte≤30%

Voorste lasermerk

Geen

Terug kwaliteit

Agterafwerking

C-gesig CMP

Skrape

≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Rugdefekte (randskyfies/inkepings)

Geen

Rugheid

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Lasermerk op die rug

1 mm (van die boonste rand)

Rand

Rand

Chamfer

Verpakking

Verpakking

Epi-gereed met vakuumverpakking

Multi-wafer-kassetverpakking

*Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD.

tegnologie_1_2_grootte
SiC-wafers

  • Vorige:
  • Volgende: