4″6″ 8″ N-tipe SiC Ingot

Kort beskrywing:

Semicera se 4″, 6″ en 8″ N-tipe SiC ingots is die hoeksteen vir hoëkrag- en hoëfrekwensie-halfgeleiertoestelle. Hierdie blokke bied uitstekende elektriese eienskappe en termiese geleidingsvermoë, en is vervaardig om die vervaardiging van betroubare en doeltreffende elektroniese komponente te ondersteun. Vertrou Semicera vir ongeëwenaarde kwaliteit en werkverrigting.


Produkbesonderhede

Produk Tags

Semicera se 4", 6", en 8" N-tipe SiC-blokke verteenwoordig 'n deurbraak in halfgeleiermateriale, ontwerp om aan die toenemende eise van moderne elektroniese en kragstelsels te voldoen. Hierdie blokke bied 'n robuuste en stabiele fondament vir verskeie halfgeleiertoepassings, en verseker optimale prestasie en lang lewe.

Ons N-tipe SiC-blokke word vervaardig deur gevorderde vervaardigingsprosesse te gebruik wat hul elektriese geleidingsvermoë en termiese stabiliteit verbeter. Dit maak hulle ideaal vir hoëkrag- en hoëfrekwensietoepassings, soos omskakelaars, transistors en ander krag elektroniese toestelle waar doeltreffendheid en betroubaarheid uiters belangrik is.

Die presiese doping van hierdie blokke verseker dat hulle konsekwente en herhaalbare werkverrigting bied. Hierdie konsekwentheid is van kritieke belang vir ontwikkelaars en vervaardigers wat die grense van tegnologie verskuif in velde soos lugvaart, motor en telekommunikasie. Semicera se SiC-blokke maak die vervaardiging van toestelle moontlik wat onder uiterste toestande doeltreffend werk.

Die keuse van Semicera se N-tipe SiC Ingots beteken die integrasie van materiale wat hoë temperature en hoë elektriese ladings met gemak kan hanteer. Hierdie blokke is veral geskik vir die skep van komponente wat uitstekende termiese bestuur en hoëfrekwensie-werking vereis, soos RF-versterkers en kragmodules.

Deur te kies vir Semicera se 4", 6", en 8" N-tipe SiC Ingots, belê jy in 'n produk wat uitsonderlike materiaaleienskappe kombineer met die akkuraatheid en betroubaarheid wat deur die nuutste halfgeleiertegnologie vereis word. Semicera bly die bedryf lei deur die verskaffing van innoverende oplossings wat die bevordering van die vervaardiging van elektroniese toestelle dryf.

Items

Produksie

Navorsing

Dummy

Kristal parameters

Politipe

4H

Oppervlakoriëntasiefout

<11-20 >4±0.15°

Elektriese parameters

Dopant

n-tipe stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Meganiese parameters

Deursnee

150,0±0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primêre plat oriëntasie

[1-100]±5°

Primêre plat lengte

47,5±1,5 mm

Sekondêre woonstel

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Buig

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Skering

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorkant (Si-face) grofheid (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struktuur

Mikropypdigtheid

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Metaal onsuiwerhede

≤5E10atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Voorste kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakafwerking

Si-gesig CMP

Deeltjies

≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm)

NA

Skrape

≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter

Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting

Geen

NA

Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate

Geen

Politipe areas

Geen

Kumulatiewe oppervlakte≤20%

Kumulatiewe oppervlakte≤30%

Voorste lasermerk

Geen

Terug kwaliteit

Agterafwerking

C-gesig CMP

Skrape

≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee

NA

Rugdefekte (randskyfies/inkepings)

Geen

Rugheid

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Lasermerk op die rug

1 mm (van die boonste rand)

Rand

Rand

Chamfer

Verpakking

Verpakking

Epi-gereed met vakuumverpakking

Multi-wafer-kassetverpakking

*Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD.

tegnologie_1_2_grootte
SiC-wafers

  • Vorige:
  • Volgende: