Semicera 3C-SiC Wafer Substrate is ontwerp om 'n robuuste platform te bied vir die volgende generasie kragelektronika en hoëfrekwensie toestelle. Met voortreflike termiese eienskappe en elektriese eienskappe, is hierdie substrate ontwerp om aan die veeleisende vereistes van moderne tegnologie te voldoen.
Die 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) struktuur van Semicera Wafer Substrate bied unieke voordele, insluitend hoër termiese geleidingsvermoë en 'n laer termiese uitsettingskoëffisiënt in vergelyking met ander halfgeleier materiale. Dit maak hulle 'n uitstekende keuse vir toestelle wat onder uiterste temperature en hoëkragtoestande werk.
Met 'n hoë elektriese afbreekspanning en voortreflike chemiese stabiliteit verseker Semicera 3C-SiC Wafer Substrates langdurige werkverrigting en betroubaarheid. Hierdie eienskappe is van kritieke belang vir toepassings soos hoëfrekwensie-radar, vastestofbeligting en kragomskakelaars, waar doeltreffendheid en duursaamheid uiters belangrik is.
Semicera se verbintenis tot kwaliteit word weerspieël in die noukeurige vervaardigingsproses van hul 3C-SiC Wafer Substrate, wat eenvormigheid en konsekwentheid oor elke bondel verseker. Hierdie akkuraatheid dra by tot die algehele werkverrigting en lang lewe van die elektroniese toestelle wat daarop gebou is.
Deur Semicera 3C-SiC Wafer Substrates te kies, kry vervaardigers toegang tot 'n voorpuntmateriaal wat die ontwikkeling van kleiner, vinniger en doeltreffender elektroniese komponente moontlik maak. Semicera gaan voort om tegnologiese innovasie te ondersteun deur betroubare oplossings te verskaf wat aan die ontwikkelende eise van die halfgeleierbedryf voldoen.
| Items | Produksie | Navorsing | Dummy |
| Kristal parameters | |||
| Politipe | 4H | ||
| Oppervlakoriëntasiefout | <11-20 >4±0.15° | ||
| Elektriese parameters | |||
| Dopant | n-tipe stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Meganiese parameters | |||
| Deursnee | 150,0±0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primêre plat oriëntasie | [1-100]±5° | ||
| Primêre plat lengte | 47,5±1,5 mm | ||
| Sekondêre woonstel | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Buig | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Skerring | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorkant (Si-face) grofheid (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktuur | |||
| Mikropypdigtheid | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Metaal onsuiwerhede | ≤5E10atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Voorste kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakafwerking | Si-gesig CMP | ||
| Deeltjies | ≤60ea/wafer (grootte≥0.3μm) | NA | |
| Skrape | ≤5ea/mm. Kumulatiewe lengte ≤Diameter | Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA |
| Lemoenskil/pitte/vlekke/strepe/ krake/besmetting | Geen | NA | |
| Randskyfies/inkepings/breuk/hex plate | Geen | ||
| Politipe areas | Geen | Kumulatiewe oppervlakte≤20% | Kumulatiewe oppervlakte≤30% |
| Voorste lasermerk | Geen | ||
| Terug kwaliteit | |||
| Agterafwerking | C-gesig CMP | ||
| Skrape | ≤5ea/mm, Kumulatiewe lengte≤2*Deursnee | NA | |
| Rugdefekte (randskyfies/inkepings) | Geen | ||
| Rugheid | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermerk op die rug | 1 mm (van die boonste rand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Chamfer | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-gereed met vakuumverpakking Multi-wafer-kassetverpakking | ||
| *Nota: "NA" beteken geen versoek Items wat nie genoem word nie, kan verwys na SEMI-STD. | |||
