36 stukke 4 duim grafietbasis MOCVD-toerustingonderdele

Kort beskrywing:

Produk bekendstelling en gebruik: Plaas 36 stukke van 4 uur substraat, gebruik vir die groei van LED met blou-groen epitaksiale film

Toestelligging van die produk: in die reaksiekamer, in direkte kontak met die wafer

Belangrikste stroomaf produkte: LED-skyfies

Hoof eindmark: LED


Produkbesonderhede

Produk Tags

Beskrywing

Ons maatskappy verskafSiC-bedekkingverwerk dienste deur CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat teen hoë temperatuur reageer om hoë suiwer SiC-molekules te verkry, molekules wat op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê word, en vormSIC beskermende laag.

 

Grafietbasis--36

Belangrikste kenmerke

1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:
die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.
2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampneerlegging onder hoë temperatuur chloreringstoestand.
3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.
4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.

Hoofspesifikasies van CVD-SIC Coating

SiC-CVD-eienskappe
Kristal struktuur FCC β fase
Digtheid g/cm³ 3.21
Hardheid Vickers hardheid 2500
Korrelgrootte μm 2~10
Chemiese suiwerheid % 99,99995
Hitte kapasiteit J·kg-1 ·K-1 640
Sublimasie temperatuur 2700
Feleksurale sterkte MPa (RT 4-punt) 415
Young se modulus Gpa (4pt-buiging, 1300℃) 430
Termiese uitbreiding (CTE) 10-6K-1 4.5
Termiese geleidingsvermoë (W/mK) 300
Semicera Werkplek
Semicera werkplek 2
Toerusting masjien
CNN-verwerking, chemiese skoonmaak, CVD-bedekking
Semicera Ware House
Ons diens

  • Vorige:
  • Volgende: